金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，西安众力为半导体科技有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT器件宽温条件下动态工作寿命试验装置及方法”的专利，公开号CN 119827936 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT器件宽温条件下动态工作寿命试验装置及方法，所述装置包括可编程信号发生器；所述可编程信号发生器连接驱动电路的一端，所述驱动电路的另一端连接待测器件M0的栅极，所述待测器件M0的漏极连接程控电源的正极，所述待测器件M0的源极连接程控电源的负极；所述待测器件M0的漏极和待测器件M0的源极之间连接有第一二极管模组D1和第二二极管模组D2，所述第一二极管模组D1和第二二极管模组D2串联，所述待测器件M0还连接有电压检测装置；所述待测器件M0放置处设置有高低温箱。本发明可以使待测GaN HEMT器件在不同工作温度、高频工作条件下进行导通电阻的测试，从而实现高低温动态可靠性测试。
天眼查资料显示，西安众力为半导体科技有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安众力为半导体科技有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自金融界